IGBT功率模块为电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，开关速度快，工作频率高，元件容量大。
其实质是复合功率器件，它结合了双极功率晶体管和功率MOSFET的优点。
由于采用先进的处理技术，其导通饱和电压较低，开关频率较高（高达20KHZ）。
这两个非常显着的特征。
最近，西门子推出了具有低饱和压降（2.2V）的NPT-IGBT性能。
更好的是，东芝，富士，IR和摩托罗拉也开发了新品种。
IGBT是先进的第三代功率模块，工作频率为1-20KHZ。
它主要用于逆变器的主电路逆变器和所有逆变器电路，即DC / AC转换。
电动汽车，伺服控制器，UPS，开关电源，斩波器电源，无轨电车等的例子已经发布了十多年，已经取代了几乎所有其他功率器件，如SCR.GTO，GTR，MOSFET在双频达林顿等低频应用中，单个元件的电压可达到4 .OKV（PT结构） - 6.5KV（NPT结构），电流高达1.5KA，是理想的电源模块。
A，栅极应与任何导电区域绝缘，以避免静电和击穿。
因此，在封装时，G极和E极之间应该有导电泡沫，并使其短路。
在组装过程中不要直接触摸手指，直到永久连接G极。
B.主电路拧紧，控制电极G应插入，尽可能不焊接。
C.安装和卸载时，请使用防静电措施，如接地工作台，接地和接地腕带。
D.测量仪器时，将1000电阻串联连接到G极。
E.在无电源时安装。
F.焊接G极时，应关闭烙铁并接地。
最适合使用固定温度的烙铁。
手工焊接时，温度为2601 C15'C。
时间（10±1）秒，松香通量。
波峰焊时，PCB板应预热80'C-] 05'C，浸入245°C 3-4的IGBT发展趋势是高耐压，大电流，高速，低压降，高可靠性，低成本目标，特别是高压逆变器应用的发展，简化其主电路，减少器件的使用，提高可靠性，降低制造成本，简化调试等，与IGBT密切相关，因此世界上主要的器件公司在经过2 - 3年的艰苦研发，将有突破。
目前，有适用于高压逆变器的电压型HV-IGBT，IGCT，电流型SGCT等。
