高压陶瓷电容器

COG / NPO：属于1类陶瓷介质，其电性能最稳定。

它基本上不随温度，时间和电压的变化而变化。

适用于具有严格稳定性和可靠性要求的场合。

由于电性能稳定，高频特性良好。

它适用于高频，超高频和极高频段。

X7R：属于2类陶瓷介质。

它的电气性能相对稳定。

随着温度，时间和电压的变化，其特性不明显。

适用于高耦合，旁路，滤波电路和10MHZ中频。

Y5V：属于3类陶瓷介质，具有高介电常数。

它通常用于生产小体积，大容量电容器。

它的容量随温度而变化，其承受恶劣环境的能力很差。

它仍然用于要求较低的过滤。

旁路等电路场合。

高介电常数电容器陶瓷＆lt;钛酸钡钛酸盐＆gt;挤出成圆形管，盘或盘作为介质，并通过火焰渗透法将银镀在陶瓷上作为电极。

它分为高频瓷和低频瓷。

具有小的正电容温度系数的电容器，用于高度稳定的储能电路中作为环路电容器和焊盘电容器。

低频陶瓷电容器仅限于工作频率较低的电路中的旁路或直流阻断，或稳定性和损耗不严重的情况（包括高频）。

这种电容器不适用于脉冲电路，因为它们容易被脉冲电压击穿。

项目COG / NPOX7RY5V温度特性0 + [_] 30PPM /°C + [_] 15 [％] + 30 [％] - 82 [％]环境温度-55°C - + 125°C-55°C- - + 125°C-30°C - + 85°C精度范围C，D，F，G，J，KK，MZ绝缘电阻IR≥10GΩ≥4GΩ≥4GΩ高损耗修正切削≥30PF：≤1/ 100000 ≤30PF：Q = 400 + 20 *C50V≤2.5[％];25≤3[％]16V≤3.5[％];10V≤5[％]50V≤3.5[％];25≤5[％]16V≤ 7 [％];10V≤10[％]抗电强度2.5倍VDCW 2.5倍VDCW 2.5倍VDCW测试条件25°C，1MHZ，1V25°C，1KHZ，1V25°C，1KHZ，03V高压陶瓷电容器具有电容比小，串联电阻小，电感值小，频率/容量特性稳定。

它适用于小电容和高工作频率（频率高达500MHz）的应用中的高频滤波，旁路，去耦。

然而，这种电容器不易受瞬态高压脉冲的影响，因此除非特别设计，否则它们不能跨越低阻抗电力线桥接。