可变电抗二极管也称为“变容二极管”。它是一种由pn结电容(或接触势垒电容)及其反向偏置电压vr的依赖性和原理制成的二极管。使用的材料主要是硅或砷化物单晶,并使用外延技术。反向偏置电压越大,结电容越小。变容二极管具有与衬底材料电阻率相关的串联电阻。

可变电抗二极管也称为“变容二极管”。它是一种由pn结电容(或接触势垒电容)及其反向偏置电压vr的依赖性和原理制成的二极管。使用的材料主要是硅或砷化物单晶,并使用外延技术。反向偏置电压越大,结电容越小。变容二极管具有与衬底材料电阻率相关的串联电阻。

可变电抗二极管也称为“变容二极管”。它是一种由pn结电容(或接触势垒电容)及其反向偏置电压vr的依赖性和原理制成的二极管。使用
二极管结电容不仅与其结构和工艺有关,还与所施加的电压有关。结电容随反向电压的增加而减小。这种效应显著的二极管称为变容二极
变容二极管属于反向偏置二极管。改变其PN结上的反向偏置电压可以改变PN结的电容。反向偏置电压越高,结电容越小。反向偏置电压与结
二极管是一种单向导电器件。晶闸管有单向和双向之分。通常,晶闸管在接通后不能自动关闭。只有当施加的电压降到0甚至反转时,晶闸
1.如果是单向晶闸管,处于加直流和触发状态,其伏安特性曲线相同。2.如果未触发状态,则正向不同,反向相同。3.双向晶闸管与二极管完全不同。
光敏二极管,又叫光电二极管,是一种能够将光根据使用方式,转换成电流或者电压信号的光探测器。
这是一种晶体二极管,在P区和N区之间夹有一层本征半导体(或杂质浓度低的半导体)。当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存储效应
它是一种以隧穿效应电流为主要电流成分的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。P型区的N型区是高度掺杂的(即具有高浓度的杂质)
本质上,二极管的管压降是一个电阻。当二极管导通的时,电阻很小,不导通的时候接近无穷大。而导通时候的电阻会分担一定的电
激光二极管的物理结构是在发光二极管的结间放置一层光活性半导体,其端面在抛光后具有部分反射功能,从而形成光谐振腔。在正向偏
随着科学技术的发展,越来越多的光信号被用于信号传输和存储。光电系统的突出优点是抗干扰能力强,信息传输量大,传输损耗小,运
它是一种能够在外部电压作用下产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理栾的:雪崩击穿用于将载流子注入晶体。由于载流子穿
有用于小电流(10mA)的逻辑运算和用于数百毫安磁芯励磁的开关二极管。小电流开关二极管通常包括点接触型和键型二极管,以及可能在
光敏二极管也用于消费电子产品,如CD播放器、烟雾探测器和控制电视和空调的红外遥控装置。对于许多应用,可以使用光电二极管或其
晶体二极管是由p型半导体和n型半导体形成的pn结。在界面的两侧形成空间电荷层,并建立自建电场。当没有施加电压时,pn结两侧载流子
它也是一个具有PN结的二极管。其结构特征是PN结边界处有陡峭的杂质分布区,从而形成“自助电场”。由于PN结在正向偏置电压下与少数
闪光发光二极管是一种由CMOS集成电路和发光二极管组成的特殊发光器件,可用于报警指示、欠压和过压指示。 当使用闪烁
一般来说,由于硅管的伏安特性曲线在0.7处非常陡,也就是说,增加正向电压会产生较大的电流,换句话说,大约是0.7V。随着电流的增加
1.在电子产品中的应用发光二极管在电子产品中通常用作屏幕背光、显示器和照明。从大型液晶电视和电脑显示器到媒体播放器MP3、MP4和手机显示器,发
续流二极管通常与能量存储元件一起使用,以防止电压和电流的突变,提供通路。电感可以经过它给负载提供持续的电流,以免负载电流
